STF10LN80K5

STMicroelectronics
511-STF10LN80K5
STF10LN80K5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
630 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 13 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Serie: STF10LN80K5
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11.8 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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STF10LN80K5 MDmesh™ Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Leistungs-MOSFET ist mit der MDmesh™ K5-Technologie ausgelegt. Diese Technologie basiert auf einer innovativen, proprietären, vertikalen Struktur, die den On-Widerstand reduziert und über eine extrem niedrige Gate-Ladung für verschiedene Applikationen verfügt. Der STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET verfügt über den branchenweit besten Gütefaktor (FoM, Figure of Merit) und niedrigsten RDS(on)-x-Bereich. Dieser STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET enthält eine eingebaute Zenerdiode, welche die Leistungsfähigkeit der elektrostatischen Entladung (ESD) des Bauteils verbessert. Die Zenerspannung des Bauteils sorgt für einen kostengünstigen Integritätsschutz des Bauteils. Dadurch sind keine zusätzlichen externen Komponenten erforderlich. Der STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.

SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
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1.51 CHF 151.00 CHF
1.24 CHF 620.00 CHF
1.10 CHF 1 100.00 CHF
1.03 CHF 2 060.00 CHF

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