MOSFET OptiMOS™ PD (Power Delivery)

I MOSFET (Power Delivery) OptiMOS™ di Infineon Technologies sono ideali per le progettazioni USB-PD e fast charger, che supportano tempi brevi di risposta dei cavi e dei preventivi rapidi. I MOSFET a livello logico nei package PQFN 3,3 mm x 3,3 mm e SuperSO8 sono stati ottimizzati per il raddrizzamento sincrono in applicazioni SMPS da 25 V a 150 V. L’azionamento a livello logico fornisce una bassa tensione di soglia del gate (VGS (th), che consente di pilotare MOSFET a bassa e media tensione da 4,5 V o direttamente da microcontroller, riducendo il numero dei componenti nell’applicazione.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
8 119A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
2 409A magazzino
5 00008.10.2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
655A magazzino
25 000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
Scheda dati
4 99517.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel