Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench® -MOSFETs von Onsemi sind n-Kanal und bieten optimierte Schaltleistung. Dieser MOSFET verfügt über eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Body-Diode für ein besonders geräuscharmes Schalten. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringeren Schaltspitzen und geringerer elektromoagnetischer Störung (EMI). Sie  verbessern die Umschaltungs-Gütezahl (FOM). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung für ATX-/Server-/Telekommunikations-PSU, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Mikro-Solarwechselrichter.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
Datenblatt
1 253Auf Lager
3.87 CHF
2.53 CHF
1.88 CHF
1.58 CHF
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 74.3 A 10.9 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
Datenblatt
1 779Auf Lager
5.50 CHF
3.69 CHF
2.96 CHF
2.63 CHF
2.33 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi NTP7D3N15MC
onsemi MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
Datenblatt
41Auf Lager
2 400erwartet ab 14.05.2027
5.19 CHF
3.40 CHF
2.50 CHF
2.22 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Tube