VEMT Silicon NPN Phototransistors

Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors are silicon NPN epitaxial planar phototransistors in a miniature surface-mount package (SMD) with a dome lens. The VEMT2003X01, VEMT2023X01, and VEMT2023SLX01 modules include a daylight filter that is matched with 830nm to 950nm IR emitters. The VEMT2503X01, VEMT2523X01, and VEMT2523SLX01 variants are sensitive to visible and near-infrared radiation. Applications for Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors include automotive, miniature switches, light sensors, and more.

Risultati: 12
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Package/involucro Stile di montaggio Lunghezza d'onda di picco Corrente collettore massima a circuito chiuso Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di rottura collettore-emettitore Tensione di saturazione collettore-emettitore Corrente nera Tempo di salita Tempo di caduta Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Qualifica
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg 7 101A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 470-1090nm +/-15 deg 10 730A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Sideview 470-1090nm +/-35 deg 33 174A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 790-970nm +/-35 deg 8 417A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg 6 830A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Side view 790-970nm +/-35 deg 15 909A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg 8 580A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors Reverse Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100


Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 790-970nm +/-15 deg 1 684A magazzino
12 00025.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors 860 nm 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 790-970nm +/-15 deg 1 002A magazzino
24 000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors SMD/SMT 860 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 470-1090nm +/-35 deg 2 213A magazzino
6 00018.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Phototransistor in 0805 Package, AEC-Q102 Qualified
3 00025.12.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Phototransistors 0805 (2012 metric) SMD/SMT 880 nm 50 mA 20 V 20 V 0.11 V 0.3 nA 57 us 99 us - 40 C + 125 C VEMT4010X02
Vishay Semiconductors Fototransistor Phototransistor in 0805 Package, AEC-Q102 Qualified
3 00025.12.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Phototransistors 0805 (2012 metric) SMD/SMT 890 nm 50 mA 20 V 20 V 0.11 V 0.2 nA 57 us 99 us - 40 C + 125 C VEMT4110X02