onsemi Shielded-Gate-PowerTrench® MOSFET

Der Shielded-Gate-PowerTrench® MOSFET von onsemi ist ein 100 V N-Kanal-MV-MOSFET, der mit dem PowerTrench®-Verfahren mit integrierter Shielded-Gate-Technologie entwickelt wurde. Diese MOSFETs reduzieren den Durchlasswiderstand (RDSON) und die Sperrverzugsladung (Qrr), um eine hervorragende Schaltleistung und Effizienz zu bieten. Die kleine Gateladung (QG), kleine Sperrverzögerungsladung (Qrr) und Gütefaktor (FOM) gewährleisten ein schnelles Schalten in Synchrongleichrichterapplikationen. Dieses Gerät hat einen nur kleinen oder gar keinen Spannungsüberschuss, verringert das Spannungsüberschwingen sowie EMI für Applikationen, die einen 100V-eingestuften MOSFET wie z. B. Netzgeräte und Motorantriebe benötigen. Darüber hinaus ermöglicht die verbesserte Leistungsdichte der MOSFETs eine breitere MOSFET-Unterlastung. Der FDMS86181 MOSFET ist vollständig UIL-getestet und ist in einem robusten MSL1-Gehäuse erhältlich.