Die bei Mouser erhältlichen GaNEXUS GaN-FETs ermöglichen höhere Betriebsfrequenzen, eine höhere Leistungsdichte sowie kompaktere Induktivitäten und Transformatoren bei Leistungswandlungen in Nieder-, Mittel-, Hoch- und Ultrahoch-Spannungsbereichen.
Anhand der Anforderungen des America’s Cup untersucht das E-Book, wie Sensorik, Konnektivität, Echtzeitsteuerung und Datenanalysen zur kontinuierlichen Leistungssteigerung von Rennyachten beitragen.
Die NANO2 708-Baureihe ist für 48-VDC-Architekturen konzipiert, wie sie in KI-Servern, Hyperscale-Rechenzentren und Hochleistungs-Stromverteilungssystemen zum Einsatz kommen.
Seit Beginn der Vertriebspartnerschaft 2011 versorgt Mouser Ingenieure mit Bauteilen und Lösungen von Nordic Semiconductor in folgenden Bereichen: Industrie, Medizin, Unterhaltungselektronik, Wireless.
Die für anspruchsvolle Arbeitszyklen konzipierte Baureihe TS1 ist für elektrifizierte Hochleistungs- und Hybrid-Applikationen vorgesehen, die erhöhten thermischen, mechanischen und elektrischen Belastungen ausgesetzt sind.