32 bit DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
385Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Datenblatt
203Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32320C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
1 500erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
3 479Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
239erwartet ab 12.07.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
972Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
2 500Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
Datenblatt
158erwartet ab 21.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Datenblatt
348erwartet ab 26.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 16 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M32MSA Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
Datenblatt
312erwartet ab 16.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C2M32S Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
108erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
90erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32800J Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
240erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
240erwartet ab 10.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
239erwartet ab 03.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64MB, 2M X 32, 3.3V, 86PIN, TSOP II, 166MHZ, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
108erwartet ab 22.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C2M32SA Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6432SD Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME4G32L4 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME8G32L4 Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Tray