Moduli IGBT EasyDUAL™ 1 B

I moduli IGBT EasyDUAL™ 1 B di Infineon Technologies con MOSFET CoolSiC™ offrono induttanza parassita molto bassa ed efficienza eccezionale che consentono frequenze maggiori, maggiore densità di potenza e requisiti di raffreddamento ridotti. I moduli a mezzo ponte 1200 V, 8 mΩ presentano un sensore di temperatura NTC integrato e la tecnologia di contatto PressFIT. Il materiale di Interfaccia termica è disponibile nelle varianti xHP_B11. Questi dispositivi presentano intervalli di tensione del gate drive consigliati da 0 a 5 V e da +15 V a +18 V, tensioni gate-source massime di +23 V o -10 V e opzioni di resistenza drain-source 17 mΩ o 33 mΩ. I morsetti di montaggio integrati forniscono una robusta garanzia di montaggio.

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Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti EASY
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48A magazzino
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
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35A magazzino
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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72A magazzino
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
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78A magazzino
21608.04.2027 previsto
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Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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3A magazzino
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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4A magazzino
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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19A magazzino
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Moduli a semiconduttori discreti Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Tempo di consegna, se non a magazzino 33 settimane
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Half Bridge Si M1H Tray