MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule sind Wandler mit hohem Wirkungsgrad, die über ein Si3N4-Substrat mit dicker Kupferschicht für eine verbesserte thermische Leistung verfügen. Diese Module bieten ein niedriges Profil, eine direkte Montage am Kühlkörper (isoliertes Gehäuse), einen internen Thermistor für die Temperaturüberwachung und einen erweiterten Temperaturbereich. Die MSCSM120x Module werden bei einer Sperrspannung (VR) von 1,2 kV, einem Gate-Quellenspannungsbereich (VGS) von -10 V bis 25 V, einer Verlustleistung (PD) von 310 W/560 W und einem Dauersenkenstrom (ID) von 79 A/150 A betrieben. Diese Module werden in Applikationen, wie z. B. hochzuverlässige Leistungssysteme, AC/DC- und DC/AC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Motorsteuerung und AC-Schalter verwendet.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Typ
Technologie
Vf - Durchlassspannung
Vr - Sperrspannung
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
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3Auf Lager
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MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
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Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
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MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
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MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
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MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
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MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
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3Auf Lager
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MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
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MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C