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FDMS4D5N08LC

Name: onsemi FDMS4D5N08LC
Brand: onsemi
SKU: 863-FDMS4D5N08LC
Price: 3.13 CHF
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-FDMS4D5N08LC

N° de fab. :

FDMS4D5N08LC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 80V 116A 4.2mOhm

Fiche technique:

FDMS4D5N08LC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	116 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	113.6 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Transconductance directe - min.:	135 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Série:	FDMS4D5N08LC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	59 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	122,136 mg

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Fiche technique

FDMS4D5N08LC Fiche technique

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET

onsemi FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with a soft body diode.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on)et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Disponibilité

Stock:: 0

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Sur commande:: 3 000

01.01.2027 attendu
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Prix unitaire:

-.-- CHF

Ext. Prix:

-.-- CHF

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Prix (CHF)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3.13 CHF	3.13 CHF
	2.05 CHF	20.50 CHF
	1.46 CHF	146.00 CHF
	1.22 CHF	610.00 CHF
	1.16 CHF	1 160.00 CHF
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1.12 CHF	3 360.00 CHF

† Les frais pour 7.00 CHF MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

FDMS4D5N08LC

Fab. : onsemi

Description : MOSFET 80V 116A 4.2mOhm

Caractéristiques

Documents (2)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET

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Fab. :

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