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Dual-Cool® Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 40 V
onsemi Dual-Cool® Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 40 V verfügt über einen extrem niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die Drain-Source-Spannung (VDSS) beträgt 40 V und die Gate-Source-Spannung (VGS) ±20 V. Zu den Applikationen gehören synchrone Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Netzteilen, Motorschaltern und Lastschaltern. Der NTMFSC0D9N04CL n-Kanal-MOSFET verfügt über reduzierte Kapazitäten und eine Gehäuseinduktivität in einem doppelseitig gekühlten Gehäuse.