Leistungsinduktivitäten – SMD

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WE-HCMD Hochstrom-Induktivitäten

W ürth Elektronik WE-HCMD Hochstrom-Induktivitäten zeichnen sich durch einen hohen Sättigungsstrom und einen hohen Kopplungsfaktor für CPU- Motherboards, Prozessoren oder FPGAs aus. Diese Induktivitäten umfassen einen Induktivitätsbereich von 70 nH bis 200 nH, einen niedrigen RDC von 125µΩ und einen Sättigungsstrom von bis zu 190 A mit einem hohen Kopplungsfaktor von bis zu 0,98. Die WE-HCMD- Induktivitäten arbeiten bei 125°C und bestehen aus einem MnZn Core und einem Material mit hoher Permeabilität. Typische Applikationen sind TLVR Topologie, Internet- Schalter, Mehrphasen-Spannungsregler und Hochleistungs-ASIC-Bauteile.

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Leistungsinduktivitäten – SMD WE-HCMD TLVR 70nH 166A 9010 125uOhms AEC-Q200

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High Current Flat Wire Inductor

70 nH

15 %

78 A

125 mOhms

166 A

- 40 C

+ 125 C

Standard

9.3 mm

6.1 mm

10.2 mm

AEC-Q200

WE-HCMD

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78 A

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117 A

- 40 C

+ 125 C

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120 nH

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125 mOhms

98 A

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+ 125 C

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15 %

78 A

125 mOhms

79 A

- 40 C

+ 125 C

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10.2 mm

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105 nH

15 %

78 A

125 mOhms

142 A

- 40 C

+ 125 C

Standard

11.7 mm

5.7 mm

11 mm

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15 %

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5.7 mm

11 mm

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