DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Diodes Incorporated DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs) are offered in smaller, thermally efficient PowerDI®3333-8 packages. These Diodes Incorporated transistors are in a PowerDI3333 surface mount 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm package. The package occupies 70% less printed circuit board (PCB) space than the traditional small-outline transistor (SOT223). PowerDI3333 packages increase PCB throughput with wettable flanks, which help facilitate high-speed, automatic optical inspection (AOI) of solder joints. These NPN and PNP transistors can perform functions such as linear or LDO regulation, gate driving of MOSFETs or insulated-gate bipolar transistors (IGBT), and load switches across industrial and consumer applications.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Fiche technique
11 632En stock
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 2 A 100 V 120 V 7 V 150 mV 3.1 W 175 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Fiche technique
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 60 V 80 V 7 V 206 mV 3.1 W 140 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Fiche technique
5En stock
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 40 V 50 V 7 V 200 mV 3.1 W 100 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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1 966En stock
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 25 V 35 V 7 V 180 mV 3.1 W 240 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Fiche technique
1 182En stock
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 60 V 80 V 7 V 200 mV 3.1 W 175 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 2 A 100 V 120 V 7 V 260 mV 3.1 W 140 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 25 V 35 V 7 V 164 mV 3.1 W 160 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 45 V 45 V 7 V 140 mV 3.1 W 150 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 48 Semaines
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 40 V 50 V 7 V 200 mV 3.1 W 100 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel