UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

Résultats: 24
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
3 280En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
Fiche technique
621En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Fiche technique
902En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
1 166En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
630En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
Fiche technique
374En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 20
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
644En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
Fiche technique
227En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Fiche technique
507En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
581En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
1 142En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Fiche technique
1 251En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Fiche technique
458En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
Fiche technique
199En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
Fiche technique
863En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
102En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
635En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
468En stock
60016.11.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263-3
Fiche technique
194En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 41 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
64En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Fiche technique
5En stock
1 600Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 210
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
60019.10.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
Fiche technique
1 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
30019.08.2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET