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Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

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Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09.16.2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06.19.2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Vishay Raddrizzatori ad alta tensione e recupero standard S07x-M

04.07.2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 1.000 V.

Vishay Raddrizzatori a recupero rapido RS07x

04.07.2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 800 V.

Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V

04.02.2026

- Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.

Vishay Soppressori di tensione transitoria XFD11K XClampR®

03.18.2026

- Dispositivi bidirezionali a montaggio superficiale progettati per garantire stabilità alle alte temperature e alta affidabilità.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03.18.2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Vishay Diodi TVS da 3KDFN12CA a 3KDFN100CA

03.02.2026

- I diodi TVS Transzorb® sono progettati per proteggere l'elettronica sensibile dai picchi di tensione.

Vishay Raddrizzatore a ponte monofase in linea KBPE0480

02.16.2026

- Questi dispositivi presentano una bassa caduta di tensione diretta e sono disponibili nel package KBP.

Vishay Raddrizzatori SMD SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02.10.2026

- Questi dispositivi sono disponibili in un package a basso profilo con un'altezza tipica di soli 0,88 mm.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio

02.03.2026

- Offre efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali per le applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Vishay Raddrizzatori VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®

06.03.2025

- Raddrizzatori iperveloci da 1.200 V, 1 A o 2 A in package SlimSMA HV (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05.20.2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Raddrizzatori a ponte monofase passivizzati

04.17.2025

- Ideale per la rettifica completa CA/CC ponte onda per i monitor, stampanti e applicazioni dell'adattatore.

Vishay Soppressori di tensione transitoria PAR® a montaggio superficiale

04.17.2025

- Ideale per l'uso nella protezione sensibile elettronica contro i transitori di tensione indotti dai fulmini.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04.03.2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay Diodo a recupero ultraveloce e progressivo VS-EBU15006HN4

03.25.2025

- Diodo da 150 A, ottimizzato per ridurre le perdite e l'EMI/RFI nei sistemi di condizionamento dell'alimentazione ad alta frequenza.

Vishay Moduli di potenza MOSFET SiC PressFit MAACPAK

03.17.2025

- Progettati per aumentare l'efficienza e l'affidabilità per applicazioni a media-alta frequenza.

Vishay MOSFET di potenza in carburo di silicio a commutazione singola serie VS-VF

03.17.2025

- MOSFET SiC ad alte prestazioni, ideali per applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

Vishay Diodi di protezione ESD VGSOT

03.14.2025

- Offrono bassa resistenza termica e elevate capacità di corrente e potenza in un package SOT-23.

Vishay Diodi a ponte monofase SiC VS-SCx0BA120

11.12.2024

- Ad alte prestazioni, robusto componenti per conversione di potenza efficiente in vari applicazioni.

Vishay MOSFET a canale N SiJK5100E

11.11.2024

- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V con tensione di drenaggio-sorgente di 100 V e dissipazione di potenza massima di 536 W.

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Filtra per:

STMicroelectronics TN4035HA-8GY Automotive Grade SCR Thyristor

11.09.2026

- High-performance switching device designed for automotive power and protection applications.

Infineon Technologies IPM CIPOS™ CoolSiC™ MOSFET per il settore automobilistico

11.05.2026

- Integrare vari componenti di alimentazione e controllo, ottimizzare dimensioni di scheda a circuito stampato e i costi di sistema.

Texas Instruments Diodi ESD bidirezionali ESD551/ESD551-Q1

10.27.2026

- Diodi ESD bidirezionali a canale singolo per linee di alimentazione, linee dati e porte I/O.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RS4P063BPHZG con ampia SOA

10.23.2026

- Presenta un'area di funzionamento sicura ampliata che aiuta a sopprimere il guasto secondario.

ROHM Semiconductor Soppressori di tensioni transitorie ESDxxVFM

10.23.2026

- Sono dispositivi altamente affidabili in piccoli contenitori con una struttura epitassiale planare al silicio.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2HR

10.22.2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2EHR

10.22.2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

Diodes Incorporated Transistor a effetto campo DMN2005K N-Ch E-Mode

10.19.2026

- Presenta una bassa resistenza "on", una tensione di soglia del gate molto bassa e prestazioni di commutazione rapide.

Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10.14.2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10.06.2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10.06.2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10.05.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10.05.2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10.05.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10.02.2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10.01.2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09.22.2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09.22.2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09.17.2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09.16.2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09.15.2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.