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Ultime novità per Semiconduttori

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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter

08.20.2026

- Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04.10.2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03.17.2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale TLR2728YFJ-C

12.11.2025

- ingresso/uscita Rail-to-rail e doppio amplificatore operazionale CMOS ad alta velocità .

ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale LMRx802-LB

11.24.2025

- L'amplificatore operativo presenta un basso livello di rumore, un basso voltaggio di offset di ingresso e una bassa corrente di polarizzazione di ingresso.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA

11.18.2025

- Questo MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT

11.18.2025

- Questo MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.

ROHM Semiconductor Convertitore A/D BD79124MUF-C

11.18.2025

- Convertitore A/D a successiva approssimazione generale, a 12 bit e 8 canali.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FM

11.18.2025

- Piccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.

ROHM Semiconductor Circuiti integrati con convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P10xJ-Z

11.03.2025

- È dotato di un MOSFET di commutazione 730 V integrato e funziona direttamente dalla rete elettrica CA ad alta tensione.

ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

10.17.2025

- I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10.16.2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor Circuiti integrati convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P06xJ-Z

09.26.2025

- Progettato per applicazioni di alimentazione CA-CC isolate compatte ed efficienti.

ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003

08.27.2025

- Progettato per valutare e dimostrare le capacità dell'IC dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003

08.27.2025

- Progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08.21.2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S

08.21.2025

- Un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.

ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFH

08.21.2025

- Diodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N

08.21.2025

- MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SM

08.20.2025

- Presenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60 V MOSFET di potenza a canale P

08.19.2025

- Un VDSS -60 V e un ID ±36 A di grado per il settore automobilistico MOSFET che è certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08.19.2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

08.19.2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.

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Renesas Electronics PTX205R NFC Controller

08.20.2026

- Highly integrated, mid-power NFC controller for NFC Forum applications.

ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter

08.20.2026

- Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.

Infineon Technologies Sensori di angolo magnetico XENSIV™ TLE49012 / TLI49012

08.20.2026

- Sensori angolari digitali ad alta precisione con latenza ultra-bassa e capacità di misurazione sia sull'asse che fuori asse.

Power Integrations RDK-994Q Reference Design Kit

08.19.2026

- 35W ultra-low-profile traction inverter gate-drive or emergency power supply.

STMicroelectronics IPS1270H Single-Channel High-Side Switch

08.19.2026

- Monolithic device intended for driving any load with one side connected to ground.

Toshiba TXZ+™ TMPM4L Arm® Cortex®-M4 MCUs

08.19.2026

- Integrates dedicated hardware and security functions for single-motor control applications.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08.19.2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

Vishay Driver MOSFET isolato otticamente VOM1272

08.18.2026

- Driver MOSFET fotovoltaico autonomo con spegnimento rapido e capacità di isolamento potenziato.

Nordic Semiconductor nRF93M1 Development Kit (DK)

08.17.2026

- Provides a fast way to evaluate and build on the nRF93M1 module.

M5Stack AddOn Display Out Module for PoE-P4

08.17.2026

- Display output expansion module designed for Unit PoE-P4, based on the LT8912B chip.

M5Stack Capsule v1.1

08.17.2026

- Iterative upgrade of capsule, with the core upgrade being the replacement of the main controller.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08.17.2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08.17.2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor LDI1117-3.3H-AQ Low-Dropout Voltage Regulator

08.17.2026

- Operates at a low dropout voltage of 1.2V at 1A output current and a fixed voltage of 3.3V.

Diotec Semiconductor MMTL431A-AQ Diode Shunt Regulator

08.14.2026

- Features temperature-compensated and low output impedance in a UL 94V-0 case material.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08.14.2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08.14.2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08.14.2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Nexperia Raddrizzatori di recupero DPAK da 400 V/650 V

08.12.2026

- Raddrizzatori di recupero DPAK iperveloci e ultraveloci per la conversione di potenza ad alta tensione.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

Abracon ABFBxx Clock Buffers

08.12.2026

- Ultra-low-jitter fanout buffers for PCIe, clock trees, and communications systems.

Murata Scheda di valutazione LBMA0ZZ2NR-EVK

08.12.2026

- Kit di valutazione e sviluppo applicativo per il modulo di tipo 2NR (LBMA0ZZ2NR-001).

MediaTek Piattaforme IoT Gen-AI Genio 420, 520 e 720

08.11.2026

- Parte della famiglia di soluzioni all'avanguardia per applicazioni IoT avanzate.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08.11.2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

u-blox Kit di valutazione EVK-X20D GNSS

08.11.2026

- Progettato per prova le caratteristiche e le capacità del modulo di orientamento GNSS a doppia antenna ZED-X20D.

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