Tipi di Semiconduttori discreti

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Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08.04.2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)
onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)
07.30.2026
Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.
onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L
onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L
07.30.2026
Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.
ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
07.21.2026
Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.
IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A
IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A
07.20.2026
Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.
IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V
IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V
07.20.2026
Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.
onsemi FET GaN GaNEXUS™
onsemi FET GaN GaNEXUS™
07.08.2026
Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata
Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2
Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2
07.07.2026
Protezione da ESD, EFT e sovratensione per le porte esterne dei dispositivi elettronici, limitando i danni critici.
Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ
Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ
06.30.2026
Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
06.29.2026
Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q
Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q
06.26.2026
Diodi TVS bidirezionali per il settore automobilistico in un package SOD-323 compatto.
Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA
Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA
06.26.2026
Matrici di diodi TVS per ESD, EFT e protezione da sovratensione attraverso le interfacce dati e di alimentazione.
Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q
Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q
06.25.2026
Offrono una selezione di opzioni di tensione da 3 V a 36 V in configurazione bidirezionale.
Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP
Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP
06.22.2026
Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.
Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V
Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V
06.19.2026
Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S
Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S
06.12.2026
Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.
Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V
05.27.2026
Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.
Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
05.18.2026
Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.
Bourns Diodo TVS a montaggio superficiale CDSOT23-SM712-Q
Bourns Diodo TVS a montaggio superficiale CDSOT23-SM712-Q
05.12.2026
Fornisce protezione per le porte dati in conformità con le norme IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 e IEC 61000-4-5.
Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™
Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™
05.06.2026
I moduli di potenza sono progettati per alte prestazioni nelle applicazioni xEV.
Littelfuse Diodi TVS AK-FL
Littelfuse Diodi TVS AK-FL
05.04.2026
Diodi TVS bidirezionali piatti e a bassa tensione con impiombatura assiale, FlatSuppressX™.
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL
05.04.2026
Progettati specificamente per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transienti di tensione.
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL
05.04.2026
Capacità di potenza di picco del Pulse di 5000 W che utilizza una forma d'onda da 10/1000µs e dissipazione di potenza di 6,5 W.
RECOM Power CI, trasformatori e soluzioni discrete
RECOM Power CI, trasformatori e soluzioni discrete
04.24.2026
Componenti ideali per applicazioni nel settore energetico, industriale e medicale.
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