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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
07.21.2026
07.21.2026
Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
04.10.2026
04.10.2026
I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.
ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati
03.17.2026
03.17.2026
Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.
ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale TLR2728YFJ-C
12.11.2025
12.11.2025
ingresso/uscita Rail-to-rail e doppio amplificatore operazionale CMOS ad alta velocità .
ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L'amplificatore operativo presenta un basso livello di rumore, un basso voltaggio di offset di ingresso e una bassa corrente di polarizzazione di ingresso.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA
11.18.2025
11.18.2025
Questo MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT
11.18.2025
11.18.2025
Questo MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.
ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FM
11.18.2025
11.18.2025
Piccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.
ROHM Semiconductor Convertitore A/D BD79124MUF-C
11.18.2025
11.18.2025
Convertitore A/D a successiva approssimazione generale, a 12 bit e 8 canali.
ROHM Semiconductor Circuiti integrati con convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P10xJ-Z
11.03.2025
11.03.2025
È dotato di un MOSFET di commutazione 730 V integrato e funziona direttamente dalla rete elettrica CA ad alta tensione.
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V
10.17.2025
10.17.2025
I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.
ROHM Semiconductor Circuiti integrati convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Progettato per applicazioni di alimentazione CA-CC isolate compatte ed efficienti.
ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Progettato per valutare e dimostrare le capacità dell'IC dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.
ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.
ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.
ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Presenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N
08.19.2025
08.19.2025
Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.
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Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers
08.06.2026
08.06.2026
32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.
Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards
08.06.2026
08.06.2026
Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.
Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board
08.06.2026
08.06.2026
Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.
Texas Instruments Modulo di valutazione ISO7741U
08.04.2026
08.04.2026
Modulo di valutazione quad-canale isolato galvanicamente in un package SSOP ultra-wide (DUW-16).
Würth Elektronik Fotoaccoppiatori ad alta velocità WL-OCHS
08.04.2026
08.04.2026
Offrono una velocità di trasmissione molto elevata, operando nell'ordine da MHz a Mbit/s.
Analog Devices Inc. Scheda di valutazione MAX22915EVKIT
08.04.2026
08.04.2026
Una progettazione collaudata per la valutazione del MAX22915, un commutatore ad alto rendimento a 8 canali con diagnostica avanzata.
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08.04.2026
08.04.2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
Analog Devices Inc. Interruttore high-side ottale industriale MAX22915
08.04.2026
08.04.2026
ADC integrato a 7 bit per monitorare la temperatura del chip, la corrente di uscita per canale o la tensione di alimentazione VDD.
NXP Semiconductors Scheda di sviluppo FRDM i.MX 95 Pro
08.04.2026
08.04.2026
Valuta il processore applicativo i.MX 95 in un contenitore compatto da 19 mm x 19 mm.
Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
08.04.2026
08.04.2026
Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.
Analog Devices Inc. Scheda di valutazione MAX22215
08.04.2026
08.04.2026
Progettata per valutare il MAX22215 in combinazione con il sistema di schede di valutazione TRINAMIC.
Texas Instruments Modulo di valutazione TPS25752A
08.04.2026
08.04.2026
Supporta applicazioni USB Type-C ® a porta singola e Power Delivery (PD) in modalità solo sorgente.
Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
08.04.2026
08.04.2026
A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.
Texas Instruments Modulo di valutazione BQ25640EVM
08.03.2026
08.03.2026
Sistema di valutazione completo per il circuito integrato BQ25640, caricabatterie a singola cella a commutazione.
Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
08.03.2026
08.03.2026
Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.
Infineon Technologies Scheda di valutazione DEMO_HV_PACKAGE
07.30.2026
07.30.2026
Scopri i package ad alta tensione con CoolSiC™ e CoolMOS™ per prestazioni di alimentazione efficienti e affidabile.
onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L
07.30.2026
07.30.2026
Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.
STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN
07.30.2026
07.30.2026
Fornisce all'utente una piattaforma per valutare i dispositivi L9965P/L99BM2P in package QFN.
onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)
07.30.2026
07.30.2026
Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.
STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965C-L/EVL99BM2C-L
07.30.2026
07.30.2026
Schede promozionali per monitorare corrente, carica e isolamento di L9965C-L/L99BM2C-L.
STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965T/EVL99BM2T
07.30.2026
07.30.2026
Queste schede promozionali integrano il ricetrasmettitore BMS L9965T o L99BM2T in un sistema BMS.
NXP Semiconductors Ricetrasmettitori CAN dual ad alta velocità TJA1046
07.30.2026
07.30.2026
Due ricetrasmettitori CAN ad alta velocità con modalità standby e supporto CAN FD.
STMicroelectronics Schede promozionali EVL9965A/EVL99BM218
07.30.2026
07.30.2026
Schede promozionali per i dispositivi L9965A/L99BM218 nei sistemi di gestione della batteria.
Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
07.29.2026
07.29.2026
Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
STMicroelectronics Unità di controllo elettronico (ECU) di distribuzione di potenza STEVAL-PDUBV1
07.28.2026
07.28.2026
Basato sui dispositivi e STi2Fuse del MCUChorus 6M SPC58NG84E7.
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