Ultime novità per MOSFET – Mouser Svizzera

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Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10.31.2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10.21.2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch

10.01.2024

- Offre una bassa resistenza in un package di piccole dimensioni termicamente efficiente.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch

08.01.2024

- MOSFET da 20 V a canale N progettato per ridurre al minimo il RDS(ON), disponibile in un package X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch

05.01.2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e tensione di soglia del gate, mantenendo al contempo le prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG

04.01.2024

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P

01.01.2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e capacità di ingresso, mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH46M7SFVWQ

03.30.2023

- MOSFET qualificato AEC-Q101 con bassa RDS (ON) che garantisce perdite minime allo stato di accensione.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UV

03.06.2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN3732UFB4

01.24.2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH15H017LPSWQ

01.18.2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH41M2SPSQ

01.17.2023

- MOSFET qualificati AEC-Q101 con bassa RDS(ON) che garantisce perdite di stato di on minime.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0LT

01.04.2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UVA

01.04.2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccezionali.

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Filtra per:

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07.30.2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05.27.2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05.18.2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03.31.2026

- Ideali per commutazione ad alta velocità, interruttori di gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver per motori.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03.27.2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03.27.2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Si tratta di MOSFET a canale N di livello normale da 80 V o 100 V con resistenza di accensione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03.13.2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03.05.2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02.02.2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12.19.2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

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