Ultime novità per Semiconduttori

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Tipi di Semiconduttori

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Qorvo Amplificatore driver QPA0023 da 6 GHz a 18 GHz

05.22.2026

- Amplificatore driver ad alte prestazioni realizzato con un processo di produzione pHEMT da 0,15 µm.

Qorvo Circuito integrato amplificatore RF QPL1842 CATV

03.09.2026

- Fornisce prestazioni di guadagno di 25 dB e basso rumore nell'intervallo di frequenza compreso tra 5 MHz e 850 MHz.

Qorvo HEMT GaN/SiC da 300W QPD2560L

03.09.2026

- Progettato per applicazioni esigenti in banda L, opera in un intervallo di frequenza compreso tra 1,0 GHz e 1,5 GHz.

Qorvo Amplificatore driver in banda X da 0,5W QPA0813

03.09.2026

- Progettato per applicazioni che richiedono un'erogazione di potenza efficiente e un fattore di forma compatto.

Qorvo Amplificatore pre-driver ad alta linearità QPA9862

03.09.2026

- Progettato per soddisfare le elevate esigenze prestazionali delle moderne infrastrutture wireless.

Qorvo Amplificatore driver in GaN da 2,0 GHz a 6,0 GHz QPA2597

03.06.2026

- Fornisce una potenza di uscita di 32 dBm, un guadagno di piccolo segnale di 24 dB e un'efficienza aggiunta di potenza del 37 %.

Qorvo Scheda di sviluppo RF QPC7331PCBA-410

02.02.2026

- Progettata per semplificare il test e l'integrazione dell'equalizzatore a pendenza variabile del cavo QPC7331.

Qorvo Interruttori SPDT a banda larga RFSW1012

01.26.2026

- Progettati per applicazioni che richiedono una perdita di inserzione molto bassa e robuste prestazioni di gestione della potenza.

Qorvo Scheda di valutazione QPD1014AEVB

01.20.2026

- Progettata appositamente per velocizzare la caratterizzazione dei dispositivi e la prototipazione degli amplificatori nella banda da 100 MHz a 1 GHz.

Qorvo Scheda di valutazione QPD1011AEVB

01.20.2026

- Progettata appositamente per velocizzare la caratterizzazione dei dispositivi e la prototipazione degli amplificatori nella banda da 100 MHz a 1 GHz.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

01.20.2026

- HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Scheda di valutazione QPD1004AEVB

01.19.2026

- Progettata appositamente per velocizzare la caratterizzazione dei dispositivi e la prototipazione degli amplificatori nella banda da 100 MHz a 1 GHz.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

01.19.2026

- HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

01.19.2026

- I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

Qorvo Kit di valutazione ACT88911EVK1-101

01.15.2026

- Progettato per dimostrare e valutare le prestazioni del circuito integrato di gestione dell'energia (PMU) ACT88911-101.

Qorvo Equalizzatori per compensazione pendenza cavo variabile QPC7331

01.15.2026

- Progettati per compensare la perdita del cavo dipendente dalla frequenza nelle reti a banda larga.

Qorvo Amplificatori di potenza in banda K QPA1722

01.15.2026

- Progettati per migliorare le prestazioni e l'integrazione dei satelliti in orbita terrestre bassa (LEO).

Qorvo Ci di gestione dell'energia integrati ACT88911 ActiveCiPS™

01.15.2026

- Supporta una vasta gamma di processori, inclusi processori video, FPGA, periferiche e MCU.

Qorvo Scheda di valutazione QPA9510EVB GSM a 900 MHz

10.28.2025

- Piattaforma di prova completamente assemblata progettata per dimostrare le prestazioni dell'amplificatore di potenza QPA9510.

Qorvo Amplificatori di potenza QPA9510 per uso generico/GSM

10.28.2025

- Amplificatori di potenza ad alte prestazioni ottimizzati per applicazioni da 100 MHz a 1.000 MHz.

Qorvo CI amplificatori QPL1841 RF MMIC a terminazione singola

10.06.2025

- Offrono un guadagno di 12,5 dB e basso rumore da 5 MHz a 850 MHz.

Qorvo Circuiti integrati amplificatori RF MMIC a terminazione singola QPL1840

10.06.2025

- Presentano un guadagno di 17 dB e basso rumore da 5 MHz a 1.800 MHz

Qorvo Kit di sviluppo a banda ultralarga QM33120WDK2

10.06.2025

- Un kit completo e pronto all'uso per lo sviluppo e dimostrazioni di prodotti UWB.

Qorvo Modulo amplificatore duplicatore di potenza ibrido QPA3311 ad alto rendimento

09.16.2025

- Impiega un die GaAs/GaN e opera da 45 MHz a 1.794 MHz con un guadagno di 23 dB.

Qorvo Kit di sviluppo QM35825DK-05 Linux®

08.29.2025

- Consente all'utente di scoprire il mondo dell'UWB, principalmente le sue capacità di rilevamento e radar.

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Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board

08.25.2026

- Multimedia development board for smart audio and HMI applications.

NXP Semiconductors KITFS0400SKTEVM Evaluation Board

08.25.2026

- Socketed FS04 evaluation board with FRDM-KL25Z bridge and OTP programming support.

Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)

08.25.2026

- These devices are high-performance storage solutions built on the PCIe Gen 4x4 NVMe 1.4 interface.

Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board

08.25.2026

- Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.

NXP Semiconductors KITFS0400A0EVM Evaluation Board

08.25.2026

- Soldered FS04 evaluation board with PF53 PMICs, FRDM-KL25Z bridge, and NXP GUI support.

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate Drivers

08.25.2026

- Designed to enable gallium nitride (GaN) and silicon (Si) power designs on the same PCB.

NXP Semiconductors FRDM-A-S32K358 Development Board

08.25.2026

- For general-purpose industrial and automotive applications built around the S32K358 MCU.

Toshiba DCL32xx00 Low Power Dual Channel Digital Isolators

08.24.2026

- These devices comply with UL 1577 and have a 3000Vrms withstand-isolation-voltage rating.

Texas Instruments ISOTMP35R/-Q1 Analog Temperature Sensors

08.24.2026

- Reinforced isolated analog temperature sensors with fast thermal response.

Toshiba TCKE1401NM 75V 6A eFuse IC

08.24.2026

- A high-input voltage single-input single-output eFuse IC that can be used as a reusable fuse.

ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter

08.20.2026

- Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.

Infineon Technologies Sensori di angolo magnetico XENSIV™ TLE49012 / TLI49012

08.20.2026

- Sensori angolari digitali ad alta precisione con latenza ultra-bassa e capacità di misurazione sia sull'asse che fuori asse.

Renesas Electronics PTX205R NFC Controller

08.20.2026

- Highly integrated, mid-power NFC controller for NFC Forum applications.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08.19.2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

STMicroelectronics IPS1270H Single-Channel High-Side Switch

08.19.2026

- Monolithic device intended for driving any load with one side connected to ground.

Power Integrations RDK-994Q Reference Design Kit

08.19.2026

- 35W ultra-low-profile traction inverter gate-drive or emergency power supply.

Toshiba TXZ+™ TMPM4L Arm® Cortex®-M4 MCUs

08.19.2026

- Integrates dedicated hardware and security functions for single-motor control applications.

Vishay Driver MOSFET isolato otticamente VOM1272

08.18.2026

- Driver MOSFET fotovoltaico autonomo con spegnimento rapido e capacità di isolamento potenziato.

M5Stack AddOn Display Out Module for PoE-P4

08.17.2026

- Display output expansion module designed for Unit PoE-P4, based on the LT8912B chip.

Diotec Semiconductor LDI1117-3.3H-AQ Low-Dropout Voltage Regulator

08.17.2026

- Operates at a low dropout voltage of 1.2V at 1A output current and a fixed voltage of 3.3V.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08.17.2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Nordic Semiconductor nRF93M1 Development Kit (DK)

08.17.2026

- Provides a fast way to evaluate and build on the nRF93M1 module.

M5Stack Capsule v1.1

08.17.2026

- Iterative upgrade of capsule, with the core upgrade being the replacement of the main controller.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08.17.2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08.14.2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

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