Ultime novità per MOSFET – Mouser Svizzera

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Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.

Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N

09.09.2025

- Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08.27.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08.27.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08.19.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08.19.2025

- FET a canale P da 30 V in un package in plastica SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08.19.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx

04.14.2025

- MOSFET da 60 V e 100 V progettati per la gestione dell'energia ad alta efficienza in varie applicazioni.

Nexperia FET a canale N in modalità di miglioramento NX5020x

04.01.2025

- I dispositivi hanno una tensione di soglia molto bassa e una commutazione molto veloce grazie alla tecnologia MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET di potenza ottimizzati per applicazioni specifiche

01.21.2025

- Uniscono la comprovata esperienza nei MOSFET a una profonda conoscenza delle applicazioni per sviluppare una gamma in continua espansione.

Nexperia ASFET CCPAK per hot-swap e avvio progressivo

01.08.2025

- Offrono una modalità lineare affidabile, una SOA migliorata e bassa RDS(on) in un unico dispositivo.

Nexperia MOSFET a canale N BUK7J2R4-80M

08.30.2024

- Basato sulla tecnologia trench 14 a gate diviso a basso valore ohmico e alloggiato in un package LFPAK56E.

Nexperia MOSFET a canale N NextPower PSMNxRx-80YSF

06.24.2024

- MOSFET con gate drive di livello standard 80 V con basso Qrr per una maggiore efficienza e minori picchi.

Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N BSS138AK

04.04.2024

- Transistori a effetto campo (FET) a canale N conformi a AEC-Q101 in modalità enhancement e in piccoli contenitori SMD.

Nexperia ASFET a canale N PSMN047-100NSE

04.04.2024

- L'ASFET da 100 V e 53 mΩ combina un potenziato SOA in un ingombro compatto di 2 mm x 2 mm,

Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002AK

04.04.2024

- Piccoli contenitori in plastica SMD conformi a AEC-Q101 che utilizzano la tecnologia MOSFET trench.

Nexperia ASFET a canale N PSMN071-100NSE

02.28.2024

- Progettati per la sostituzione di relè, la gestione degli spunti e le applicazioni di gestione della batteria.

Nexperia MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC

02.28.2024

- Alloggiato in package LFPAK56 salvaspazio, ideali per applicazioni di controllo di motori CC brushless.

Nexperia MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N e BUK7Y3R1-80M

02.23.2024

- Progettati e qualificati per soddisfare i requisiti AEC-Q101, offrendo elevate prestazioni e resistenza.

Nexperia MOSFET a canale N PSMN025

05.19.2023

- Doppio MOSFET a canale N di livello standard alloggiato in un package LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET a canale N PSMN028

05.19.2023

- MOSFET a canale N doppio di livello standard alloggiato in un package LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET a canale N PSMN1R9 e PSMN2R3

02.27.2023

- Progettati per prestazioni e affidabilità elevate.

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iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08.10.2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07.30.2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05.27.2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05.18.2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03.31.2026

- Ideali per commutazione ad alta velocità, interruttori di gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver per motori.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03.27.2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03.27.2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Si tratta di MOSFET a canale N di livello normale da 80 V o 100 V con resistenza di accensione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03.13.2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03.05.2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02.02.2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

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