Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Filtri applicati:

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ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04.10.2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03.17.2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA

11.18.2025

- Questo MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FM

11.18.2025

- Piccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT

11.18.2025

- Questo MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.

ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

10.17.2025

- I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10.16.2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N

08.21.2025

- MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFH

08.21.2025

- Diodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08.21.2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S

08.21.2025

- Un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SM

08.20.2025

- Presenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N

08.19.2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA da 100 V a canale N

08.19.2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 100 V e ID nominale di ±40 A, con certificazione AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

08.19.2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08.19.2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

08.19.2025

- Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60 V MOSFET di potenza a canale P

08.19.2025

- Un VDSS -60 V e un ID ±36 A di grado per il settore automobilistico MOSFET che è certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

08.19.2025

- MOSFET con tensione di drain-source (VDSS) di -40 V e corrente di drain continua (ID) di ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA

08.19.2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Diodi Zener JMZV8.2B da 5 mA

08.19.2025

- I dispositivi sono disponibili in un piccolo package di potenza stampato a iniezione adatto per applicazioni di regolazione di tensione.

ROHM Semiconductor Transistor di potenza NPN 1,5 A 160 V 2SCR579D3

08.06.2025

- Un transistor di potenza con bassa VCE(sat) e adatto come amplificatore a bassa frequenza.

ROHM Semiconductor Transistor di potenza 2SAR579D3 PNP 1,5 A 160 V

08.06.2025

- Il transistor di potenza ha un basso VCE(sat) ed è adatto come amplificatore a bassa frequenza.

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iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

Nexperia Raddrizzatori di recupero DPAK da 400 V/650 V

08.12.2026

- Raddrizzatori di recupero DPAK iperveloci e ultraveloci per la conversione di potenza ad alta tensione.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08.11.2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08.10.2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08.10.2026

- Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.

Texas Instruments Diodi di protezione ESD ESD2CANFD24W-Q1

08.04.2026

- Diodi di protezione ESD per le reti Automotive CAN, CAN FD, CAN SIC e CAN XL.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07.30.2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07.30.2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07.20.2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07.20.2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07.08.2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2

07.07.2026

- Protezione da ESD, EFT e sovratensione per le porte esterne dei dispositivi elettronici, limitando i danni critici.

Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ

06.30.2026

- Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q

06.26.2026

- Diodi TVS bidirezionali per il settore automobilistico in un package SOD-323 compatto.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA

06.26.2026

- Matrici di diodi TVS per ESD, EFT e protezione da sovratensione attraverso le interfacce dati e di alimentazione.

Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06.25.2026

- Offrono una selezione di opzioni di tensione da 3 V a 36 V in configurazione bidirezionale.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP

06.22.2026

- Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06.19.2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06.12.2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05.27.2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05.18.2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

Bourns Diodo TVS a montaggio superficiale CDSOT23-SM712-Q

05.12.2026

- Fornisce protezione per le porte dati in conformità con le norme IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 e IEC 61000-4-5.

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