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Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V
Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V
12.01.2025
Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
11.19.2025
Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.
onsemi IGBT Field Stop IV a canale N AFGBG70T65SQDC
onsemi IGBT Field Stop IV a canale N AFGBG70T65SQDC
10.13.2025
Il dispositivo offre prestazioni ottimali con bassi livelli di perdita di conduzione e commutazione.
onsemi IGBT AFGH4L60T120RWx-STD Field Stop VII a canale N
onsemi IGBT AFGH4L60T120RWx-STD Field Stop VII a canale N
10.13.2025
Il dispositivo offre buone prestazioni, con bassa tensione in stato attivo e bassi livelli di perdita di commutazione.
STMicroelectronics IGBT serie IH2 1600V STGWA30IH160DF2
STMicroelectronics IGBT serie IH2 1600V STGWA30IH160DF2
05.22.2025
Creato implementando un'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop.
STMicroelectronics IGBT ACEPACK SMIT STGSH50M120D con diodo
STMicroelectronics IGBT ACEPACK SMIT STGSH50M120D con diodo
12.24.2024
Combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte.
ROHM Semiconductor IGBT Field Stop trench RGA80Tx 1.200 V
ROHM Semiconductor IGBT Field Stop trench RGA80Tx 1.200 V
10.17.2024
Presentano bassa commutazione e perdita di conduzione e sono ideali per compressori elettrici e riscaldatori HV.
STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG
STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG
09.12.2024
Sviluppato utilizzando un’avanzata struttura trench-gate field stop.
STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGWA30M65DF2AG
STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGWA30M65DF2AG
09.12.2024
Progettato utilizzando una struttura trench-gate field stop proprietaria avanzata.
IXYS IGBT XPT Gen5
IXYS IGBT XPT Gen5
07.25.2024
Offre una tensione nominale di 650 V, un intervallo di corrente da 35 A a 220 A e una carica di gate bassa. 
Infineon Technologies Dispositivi discreti IGBT EDT2 per il settore automobilistico
Infineon Technologies Dispositivi discreti IGBT EDT2 per il settore automobilistico
07.19.2024
Tecnologia IGBT da 750 V che migliora l'efficienza di energia per applicazioni di trasmissione nel settore automobilistico.
STMicroelectronics IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG
STMicroelectronics IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG
07.03.2024
1.200 V, 40 A, bassa perdita, offre bassa resistenza termica ed è disponibile in un package con cavi lunghi TO-247.
onsemi IGBT per il settore automobilistico AFGHxL40T
onsemi IGBT per il settore automobilistico AFGHxL40T
06.12.2024
Qualificato AEC-Q101 e utilizza una robusta struttura Field Stop VII Trench.
onsemi IGBT HV-HE EcoSPARK® 2 FGB5065G2-F085
onsemi IGBT HV-HE EcoSPARK® 2 FGB5065G2-F085
06.04.2024
650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
04.24.2024
Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
04.12.2024
Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.
onsemi Pompe di calore
onsemi Pompe di calore
03.01.2024
La pompa di calore costituisce una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile.
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A
03.01.2024
IGBT field-stop di 4a generazione che utilizza una tecnologia innovativa.
onsemi IGBT FGY4LxxT120SWD a canale N 1.200 V
onsemi IGBT FGY4LxxT120SWD a canale N 1.200 V
02.07.2024
I dispositivi utilizzano l’innovativa tecnologia IGBT field stop di 7a generazione e il diodo Gen7.
Bourns Soluzioni di elettrificazione
Bourns Soluzioni di elettrificazione
12.20.2023
Trasformatori, bobine di arresto, resistori e altri prodotti progettati per i sistemi utilizzati nell’elettrificazione.
onsemi IGBT FGHL60T120RWD discreto 1200 V 60 A
onsemi IGBT FGHL60T120RWD discreto 1200 V 60 A
11.29.2023
La   tecnologia IGBT avanzata di 7a generazione è alloggiata in un package TO247 3-lead.
onsemi IGBT FGHL40T120RWD discreto 1200 V 40 A
onsemi IGBT FGHL40T120RWD discreto 1200 V 40 A
11.29.2023
Utilizza la tecnologia IGBT di 7a generazione ed è alloggiato in un package TO247 3-lead.
onsemi IGBT AFGHxL25T a canale N singolo da 1.200 V 25 A
onsemi IGBT AFGHxL25T a canale N singolo da 1.200 V 25 A
11.22.2023
Questi dispositivi presentano una struttura trench Field Stop VII robusta ed economica.
onsemi IGBT FGY140T120SWD a discreto rapido 1200 V 140 A
onsemi IGBT FGY140T120SWD a discreto rapido 1200 V 140 A
11.13.2023
Dotato dell’avanzata tecnologia IGBT di 7a generazione.
STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF ad alta velocità serie H 600 V 4 A
STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF ad alta velocità serie H 600 V 4 A
10.31.2023
Progettato con un’avanzata struttura trench-gate field-stop.
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