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Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09.17.2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09.16.2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09.15.2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09.14.2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09.14.2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09.10.2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09.09.2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

Microchip Technology Moduli di potenza HV-D3 mSiC®

09.01.2026

- Semplifica e accelera l'adozione di trasformatori allo stato solido nei data center e in altre applicazioni di alimentazione ad alto voltaggio.

IXYS SCR sensibili SK002xSx

08.27.2026

- SCR sensibili con supporto di azionamento a microprocessore e elevata immunità al rumore.

onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2

08.25.2026

- Moduli MOSFET EliteSiC a ponte completo con resistenza di conduzione di 11 mΩ e tensione nominale di 1.200 V.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V

08.25.2026

- Offrono un valore basso di RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa QG, oltre a capacità elettriche ridotte per minimizzare le perdite del driver.