Reel DRAM

Ergebnisse: 1 109
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel