0 C Speicher-ICs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt Produkt-Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Speichergröße Schnittstellen-Typ
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 12ns, Commercial Temp - Tube
160erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT SOJ-44 1 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
108erwartet ab 24.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
10Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
348Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
216erwartet ab 10.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 64M x 8 COM TEMP
108Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64MB, 2M X 32, 3.3V, 86PIN, TSOP II, 166MHZ, Commercial Temp - Tray 50Auf Lager
58erwartet ab 03.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
Everspin Technologies MRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 256 kbit Parallel
GSI Technology SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

SRAM SMD/SMT BGA-260 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

SRAM SMD/SMT TQFP-100 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT BGA-119 288 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 8M x 36 288M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

SRAM SMD/SMT BGA-165 288 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 72 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 72 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 128 bit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 128 bit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 128x8 - 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 256x8 - 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 512x8 - 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1kx8 - 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 32kx8 - 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
: 2 100

EEPROM SMD/SMT SOIJ-8 256 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 8kx8 1.8V Smart Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 64 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 8kx8 1.8V Smart Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM SMD/SMT SOIJ-8 64 kbit 2-Wire, I2C