4 Mbit Speicher-ICs

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Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250

SRAM SMD/SMT CABGA-48 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 144
Mult.: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics FIFO 3.3V 4M SUPER SYNC II Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 45
Mult.: 45

FIFO SMD/SMT TQFP-64 4 Mbit
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SRAM SMD/SMT CABGA-165 4 Mbit Parallel
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single, Dual SPI NOR flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 850
Mult.: 570

NOR Flash SMD/SMT 4 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 8 000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 710
Mult.: 570

NOR Flash SMD/SMT UDFN-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-W 208mil (Tube), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 4 500
Mult.: 90

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Wide-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 7 840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 4 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 8 000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 4 Mbit SPI