High Power Resistor Widerstände

Ergebnisse: 1 062
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Montage
Widerstand
Nennleistung
Abweichungstoleranz
Temperaturkoeffizient
Gehäuse-Code - Inch
Gehäuse-Code - mm
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 620R (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 620 Ohms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 62R (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 62 Ohms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 750R (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 750 Ohms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 82R (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 82 Ohms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 910R (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 910 Ohms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 91R (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 91 Ohms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 9R1 (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 9.1 Ohms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQM2 10K 5% Metal Film
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Radial 10 kOhms 2 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQM5 11K 5% Metal Film
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Radial 11 kOhms 5 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQM7 2K0 5% Metal Film
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Radial 2 kOhms 7 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQM7 130R 5% (WIRE)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Radial 130 Ohms 7 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQP5 220R 5% MTL FLM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Axial 220 Ohms 5 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQP5 680R 5% MTL FLM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Axial 680 Ohms 5 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQZ10 39K 5% Metal Film
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Axial 39 kOhms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQZ7 15K 5% Metal Film
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Axial 15 kOhms 7 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / Holsworthy Metallschichtwiderstände - Durchgangsloch SQZ7 4K7 5% (METAL FILM)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Radial 4.7 kOhms 3 W 5 % 300 PPM / C
ROHM Semiconductor Strommesswiderstände - SMD 6432 (2512) size, 7W, 40m, High Power Type Metal Plate Shunt Resistor (AEC-Q200 Qualified) : GMR100 is a shunt resistor ideal for current sensing in high current circuits.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT 40 mOhms 7 W 1 % 20 PPM / C 2512 6432
ROHM Semiconductor Strommesswiderstände - SMD 6432 (2512) size, 7W, 39m, High Power Type Metal Plate Shunt Resistor (AEC-Q200 Qualified) : GMR100 is a shunt resistor ideal for current sensing in high current circuits.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT 39 mOhms 7 W 1 % 20 PPM / C 2512 6432
ROHM Semiconductor Strommesswiderstände - SMD 6432 (2512) size, 7W, 56m, High Power Type Metal Plate Shunt Resistor (AEC-Q200 Qualified) : GMR100 is a shunt resistor ideal for current sensing in high current circuits
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT 56 mOhms 7 W 1 % 20 PPM / C 2512 6432
TE Connectivity / CGS SQMB10WBR10J
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 R10 (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 100 mOhms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS SQMB10WBR11J
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 R11 (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 110 mOhms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS SQMB10WBR12J
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 R12 (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 120 mOhms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS SQMB10WBR13J
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 R13 (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 130 mOhms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS SQMB10WBR15J
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 R15 (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 150 mOhms 10 W 5 % 300 PPM / C
TE Connectivity / CGS SQMB10WBR16J
TE Connectivity / CGS Drahtwiderstände - Durchgangsloch SQMB10 R16 (WIRE) 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

Radial 160 mOhms 10 W 5 % 300 PPM / C