8 Gbit Halbleiter

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Menge RoHS
GigaDevice NAND-Flash
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Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
Datenblatt
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Macronix NAND-Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 960
Mult.: 96
Macronix NAND-Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
Macronix NAND-Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 220
Macronix NAND-Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Macronix NAND-Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
Macronix NAND-Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 220
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Macronix NAND-Flash SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960

GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 960
Mult.: 960

Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000