MOSFET Trench SiC G1 750 V per il settore automotive CoolSiC™

I MOSFET Trench SiC G1 750 V CoolSiC™ per il settore automotivo di Infineon Technologies aiutano i produttori di veicoli elettrici a creare caricatori di bordo bidirezionali da 11 kW e 22 kW con maggiore efficienza densità di potenza e affidabilità. Questi dispositivi funzionano in modo affidabile ad alte temperature (Tj, max +175 °C), grazie alla tecnologia proprietaria di Infineon. Tecnologia di fissaggio dei die XT per la migliore impedenza termica della categoria a parità di dimensioni dei die.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
271A magazzino
19.29 CHF
12.04 CHF
11.61 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
240In ordine
14.47 CHF
10.72 CHF
7.97 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
Tempo di consegna 52 settimane
18.29 CHF
12.84 CHF
10.18 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
Tempo di consegna 52 settimane
9.26 CHF
6.15 CHF
5.71 CHF
5.33 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement