MOSFETs – Mouser Schweiz

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Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

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Vgs - Gate-Source-Spannung

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Auswählen	Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	RoHS	ECAD Model	Technologie	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Verpackung
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 9.58 CHF 126Auf Lager	Herst. Teilenr. IPW65R029CFD7XKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IPW65R029CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Datenblatt	126Auf Lager	9.58 CHF 6.53 CHF 6.36 CHF	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 7.39 CHF 268Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IPW65R060CFD7XKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Datenblatt	268Auf Lager	7.39 CHF 4.35 CHF 3.67 CHF 3.56 CHF 3.35 CHF	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 8.03 CHF 300Auf Lager	Herst. Teilenr. IPP65R041CFD7XKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Datenblatt	300Auf Lager	8.03 CHF 5.49 CHF 4.53 CHF 4.05 CHF 3.82 CHF	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 8.80 CHF 284Auf Lager 720Auf Bestellung	Herst. Teilenr. IPW65R041CFD7XKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IPW65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Datenblatt	284Auf Lager 720Auf Bestellung	8.80 CHF 4.79 CHF 4.44 CHF 4.41 CHF	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 12.12 CHF 181Auf Lager	Herst. Teilenr. IPZA65R029CFD7XKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IPZA65R029CFD7XK	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Datenblatt	181Auf Lager	12.12 CHF 6.82 CHF 6.70 CHF	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPP65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 6.52 CHF 41Auf Lager 500erwartet ab 10.12.2026	Herst. Teilenr. IPP65R060CFD7XKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IPP65R060CFD7SA1	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Datenblatt	41Auf Lager 500erwartet ab 10.12.2026	6.52 CHF 3.53 CHF 3.24 CHF 2.97 CHF	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube