Moduli IGBT7 TRENCHSTOP™ EasyPACK™

I moduli IGBT7 TRENCHSTOP ™ EasyPACK ™di Infineon Technologies  sono  basati sulla tecnologia trench micro-pattern. Ciò consente di ridurre le perdite e offre un elevato livello di controllabilità. Il chip è particolarmente ottimizzato per applicazioni di azionamento industriale. I moduli offrono minori perdite statiche, maggiore densità di potenza e commutazione più morbida. È  possibile ottenere un significativo aumento della densità di potenza aumentando la temperatura di funzionamento massima consentita fino a 175°C nel modulo di potenza.

Risultati: 9
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
Scheda dati
23A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC
Scheda dati
24A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Modules 1.2 kV 1.63 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT Module with active Advanced Neutral Point Clamp topology and PressFIT / NTC
Scheda dati
18A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Modules 1.2 kV 1.65 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
Scheda dati
2A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
Scheda dati
26A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 950 V, 400 A 3-level IGBT module
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Scheda dati
4419.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC
Scheda dati
4828.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.5 V 100 nA 20 mW - 40 C + 150 C Tray