SGT65R65AL

STMicroelectronics
511-SGT65R65AL
SGT65R65AL

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
65 mOhms
+ 6 V
1.8 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Marchio: STMicroelectronics
Sensibili all’umidità: Yes
Confezione: Reel
Tipo di prodotto: GaN FETs
Serie: SGT
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: GaN-on-Si
Tipo di transistor: E-Mode
Tipo: RF Power MOSFET
Peso unità: 76 mg
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Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL

I transistori e-mode PowerGaN SGT65R65AL di STMicroelectronics sono transistori da 650 V, 25 A combinati con una tecnologia di packaging consolidata. Il SGT65R65AL di STMicroelectronics  ha un dispositivo G-HEMT risultante che fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità ad alta corrente e funzionamento di commutazione ultraveloce. Il dispositivo può consentire alta densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.

Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™

I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.

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