Driver MOSFET GaN a mezzo ponte da 100 V MP1918

I driver MOSFET GaN a mezzo ponte MP1918 da 100 V di Monolithic Power Systems (MPS) sono progettati per pilotare FET al nitruro di gallio (GaN) ad arricchimento o MOSFET a canale N. MP1918 di Monolithic Power Systems (MPS) presenta ingressi PWM indipendenti a monte (HS) e a valle (LS) e utilizza una tecnica bootstrap per la tensione del driver HS. Il dispositivo funziona fino a 100 V e include una tecnologia di carica che impedisce alla tensione del driver HS di superare la VCC, proteggendo il gate dal superamento della tensione massima gate-source dei FET GaN.

Risultati: 2
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Tipo
Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di driver
Numero di uscite
Corrente di uscita
Tensione di alimentazione - Min.
Tensione di alimentazione - Max.
Tempo di salita
Tempo di caduta
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Monolithic Power Systems (MPS) Driver di porta 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver
Scheda dati
3 897A magazzino
Nastro continuo
2.19 CHF
1.63 CHF
1.48 CHF
1.33 CHF
Nastrati
1.16 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000
Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-14 2 Driver 1 Output 5 A 3.7 V 5.5 V 5 ns 3 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
Monolithic Power Systems (MPS) Driver di porta 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Nastrati
1.39 CHF
1.35 CHF
1.33 CHF
1.31 CHF
Min: 500
Mult.: 500
: 500
Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-14 2 Driver 1 Output 5 A 3.7 V 5.5 V 5 ns 3 ns - 40 C + 125 C Reel