MOSFET SiC discrets E4MS 1 200 V

Les MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) E4MS 1 200 V de Wolfspeed offrent des performances inégalées dans les applications automobiles embarquées. La famille E4MS utilise une diode à corps souple et rapide qui permet une commutation rapide avec dépassement et sonnerie minimaux, élargissant ainsi l'espace de conception utilisable pour les ingénieurs afin d'optimiser les performances dans l'application. La famille E4MS offre des pertes Eon, ERR et Eoff améliorées par rapport à la famille de dispositifs E3M, tout en maintenant un faible coefficient de température RDS_(on). Cette approche équilibrée offre des performances et une efficacité maximales pour une large gamme de topologies embarquées.