GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1:
3.14 CHF
4 511 Auf Lager
Neues Produkt
Mouser-Teilenr.
726-IGLR65R140D2XUMA
Neues Produkt
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
4 511 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
5 000
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
13 A
170 mOhms
- 10 V
1.6 V
2.6 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1:
2.31 CHF
4 815 Auf Lager
Neues Produkt
Mouser-Teilenr.
726-IGLR65R200D2XUMA
Neues Produkt
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
4 815 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
5 000
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
9.2 A
240 mOhms
- 10 V
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1:
2.01 CHF
4 699 Auf Lager
Neues Produkt
Mouser-Teilenr.
726-IGLR65R270D2XUMA
Neues Produkt
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
4 699 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
5 000
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
7.2 A
330 mOhms
- 10 V
1.6 V
1.4 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
8.86 CHF
1 559 Auf Lager
1 800 erwartet ab 17.12.2026
Mouser-Teilenr.
726-IGLT65R035D2ATMA
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
1 559 Auf Lager
1 800 erwartet ab 17.12.2026
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
1 800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
42 mOhms
- 10 V
1.6 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
6.90 CHF
812 Auf Lager
Neues Produkt
Mouser-Teilenr.
726-IGLT65R045D2ATMA
Neues Produkt
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
812 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
1 800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
38 A
54 mOhms
- 10 V
1.6 V
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
3.80 CHF
1 183 Auf Lager
Mouser-Teilenr.
726-IGLT65R110D2ATMA
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
1 183 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
1 800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
15 A
140 mOhms
- 10 V
1.6 V
3.4 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
10.73 CHF
556 Auf Lager
Mouser-Teilenr.
726-IGOT65R025D2AUMA
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
556 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
61 A
30 mOhms
- 10 V
1.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
181 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
8.88 CHF
457 Auf Lager
800 erwartet ab 30.11.2026
Neues Produkt
Mouser-Teilenr.
726-IGOT65R035D2AUMA
Neues Produkt
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
457 Auf Lager
800 erwartet ab 30.11.2026
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
42 mOhms
- 10 V
1.6 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
132 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
7.10 CHF
2 028 Auf Lager
Neues Produkt
Mouser-Teilenr.
726-IGOT65R045D2AUMA
Neues Produkt
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
2 028 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
54 mOhms
- 10 V
1.6 V
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
5.93 CHF
583 Auf Lager
Neues Produkt
Mouser-Teilenr.
726-IGOT65R055D2AUMA
Neues Produkt
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
583 Auf Lager
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1:
10.24 CHF
7 119 Auf Bestellung
Mouser-Teilenr.
726-IGLT65R025D2AUMA
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
7 119 Auf Bestellung
Daten anzeigen
Auf Bestellung:
3 519 erwartet ab 31.12.2026
3 600 erwartet ab 16.09.2027
Lieferzeit ab Hersteller:
18 Wochen
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
1 800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
67 A
30 mOhms
- 10 V
1.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
219 W
Enhancement
GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES
IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1:
5.93 CHF
5 400 Auf Bestellung
Mouser-Teilenr.
726-IGLT65R055D2ATMA
Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
5 400 Auf Bestellung
Daten anzeigen
Auf Bestellung:
1 800 erwartet ab 23.04.2027
3 600 erwartet ab 24.06.2027
Lieferzeit ab Hersteller:
26 Wochen
Kaufen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle :
1 800
Details
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
GaN