CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650-V-Leistungstransistoren verfügen über die hocheffiziente GaN(Galliumnitrid)-Transistor-Technologie für eine Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich bis 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Modus-Konzept mit hohen End-to-End-Produktionsvolumina zur Reife. Diese wegweisende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet die zuverlässigste Leistung. Die CoolGaN™ Gen 2 650-V-Anreicherungsmodus-Leistungstransistoren verbessern Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schnellem Schalten.

Ergebnisse: 12
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Technologie
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4 511Auf Lager
Cut-Tape
3.14 CHF
2.06 CHF
1.44 CHF
1.18 CHF
1.13 CHF
Reel
1.00 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4 815Auf Lager
Cut-Tape
2.31 CHF
1.50 CHF
1.03 CHF
0.829 CHF
Reel
0.658 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 4 699Auf Lager
Cut-Tape
2.01 CHF
1.29 CHF
0.885 CHF
0.705 CHF
Reel
0.548 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1 601Auf Lager
1 800erwartet ab 17.12.2026
Cut-Tape
8.86 CHF
5.07 CHF
4.81 CHF
4.54 CHF
3.93 CHF
Reel
3.89 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 812Auf Lager
Cut-Tape
6.90 CHF
3.75 CHF
3.44 CHF
3.39 CHF
2.96 CHF
Reel
2.87 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 1 218Auf Lager
Cut-Tape
3.80 CHF
2.51 CHF
1.78 CHF
1.53 CHF
Reel
1.29 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 582Auf Lager
Cut-Tape
10.73 CHF
7.20 CHF
6.66 CHF
5.78 CHF
Reel
5.04 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 457Auf Lager
800erwartet ab 23.02.2027
Cut-Tape
8.88 CHF
4.94 CHF
4.72 CHF
4.01 CHF
Reel
4.01 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 2 028Auf Lager
Cut-Tape
7.10 CHF
3.88 CHF
3.47 CHF
Reel
3.07 CHF
3.00 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES 583Auf Lager
Cut-Tape
5.93 CHF
3.18 CHF
2.91 CHF
2.35 CHF
Reel
2.35 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
3 550erwartet ab 18.02.2027
Cut-Tape
10.24 CHF
5.80 CHF
5.72 CHF
5.66 CHF
4.86 CHF
Reel
4.86 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
3 600erwartet ab 20.04.2027
Cut-Tape
5.78 CHF
3.43 CHF
2.96 CHF
2.71 CHF
2.33 CHF
Reel
2.33 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN