650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Die 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation von Toshiba sind für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC- Eingang und AC-DC-Netzteile, Photovoltaik-Umrichter (PV) und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) ausgelegt.  Diese MOSFETs von Toshiba tragen aufgrund der SiC-Technologie zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Leistungsdichte bei. Diese Technologie ermöglicht höhere Spannungen, schnellere Schaltvorgänge und einen geringeren On-Widerstand. Das Design bietet eine bessere Zuverlässigkeit zusätzlich zu einer niedrigen Eingangskapazität, einem gemeinsamen Gate-Eingangsladung und einem Drain-Source-Einschaltwiderstand von nur 15 mΩ.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Datenblatt
132Auf Lager
13.86 CHF
11.57 CHF
8.06 CHF
7.97 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2 500Auf Lager
Cut-Tape
9.36 CHF
6.94 CHF
Reel
6.94 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2 480Auf Lager
Cut-Tape
7.32 CHF
5.03 CHF
Reel
5.03 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2 493Auf Lager
Cut-Tape
6.07 CHF
4.11 CHF
3.92 CHF
Reel
3.92 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Datenblatt
2 500Auf Lager
Cut-Tape
4.82 CHF
2.88 CHF
Reel
2.88 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-5 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Datenblatt
27Auf Lager
9.73 CHF
7.30 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Datenblatt
31Auf Lager
8.47 CHF
6.40 CHF
6.08 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Datenblatt
61Auf Lager
7.41 CHF
5.07 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Datenblatt
14Auf Lager
30erwartet ab 04.12.2026
9.11 CHF
6.70 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Datenblatt
28Auf Lager
26.06 CHF
18.90 CHF
14.63 CHF
14.37 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Datenblatt
41Auf Lager
13.86 CHF
11.57 CHF
7.97 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Datenblatt
12Auf Lager
60erwartet ab 19.10.2026
16.00 CHF
13.71 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Datenblatt
2Auf Lager
8.31 CHF
6.51 CHF
5.70 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Datenblatt
67Auf Lager
10.17 CHF
5.82 CHF
5.39 CHF
5.04 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Datenblatt
92Auf Lager
10.93 CHF
6.70 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Datenblatt
32Auf Lager
6.47 CHF
4.26 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Datenblatt
189Auf Lager
8.47 CHF
6.65 CHF
6.08 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Datenblatt
15Auf Lager
6.22 CHF
3.64 CHF
2.94 CHF
2.70 CHF
2.56 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Datenblatt
25Auf Lager
5.88 CHF
3.75 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Datenblatt
19Auf Lager
6.04 CHF
3.14 CHF
3.00 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Datenblatt
40Auf Lager
4.97 CHF
3.38 CHF
3.00 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Datenblatt
210erwartet ab 15.01.2027
7.37 CHF
3.94 CHF
3.63 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
8.30 CHF
5.87 CHF
4.89 CHF
4.35 CHF
4.07 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
6.47 CHF
4.56 CHF
3.69 CHF
3.28 CHF
2.90 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement