CoolSiC™-1200-V-SiC-Trench-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauteils erhöhen. Die CoolSiC-1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für den Betrieb bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.

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Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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981Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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771Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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480erwartet ab 27.08.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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3 120erwartet ab 13.08.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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240erwartet ab 20.05.2027
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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480Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1 200Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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960erwartet ab 24.09.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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1 920Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2 160Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2 877Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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701Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1 420Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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480erwartet ab 24.09.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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741Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel