U-MOSVIII-H Low Voltage High Efficiency MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies for notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays, and more. They are also designed for use in DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are fabricated with Gen 8 trench MOS process, which helps improve power supply efficiency. Other features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness. The series also includes automotive-qualified MOSFETs in a small package.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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8 853Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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3 423Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
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19 353Auf Lager
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: 10 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V - 20 V, 20 V 2.3 V 17.3 nC + 150 C 1.51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs SOP8 N-CH 80V 146A
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4 809Auf Lager
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: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
Datenblatt
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25 950Auf Lager
39 000erwartet ab 14.09.2026
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
Datenblatt
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5 358Auf Lager
9 000erwartet ab 25.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel