MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4

Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4 d'IXYS sont des composants à mode d'amélioration à canal N avec un RDS(on)de 10,6 mΩ, 13 mΩ ou 21 mΩ et une tension drain-source maximale de 200 V. Les MOSFET IXT sont disponibles en boîtiers standard TO-220, TO-247, TO-263, ou TO-268 classés avalanche avec une densité de puissance élevée. Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4 IXYS sont idéaux pour une utilisation dans les alimentations à découpage et à résonance.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Fiche technique
2 003En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Fiche technique
268En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Fiche technique
364En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
Fiche technique
719En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Fiche technique
502En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
Fiche technique
11En stock
1 140Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Fiche technique
620Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
Fiche technique
870Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
Fiche technique
450Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube