NT9003HDAE4S 1mW Class Rectifier Diodes

Nisshinbo NT9003HDAE4S 1mW Class Rectifier Diodes are optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating at 920MHz, 2.4GHz, and 5.7GHz bands. These diodes feature 0.1V typical at IF =4µA low forward voltage, and 20V high-reverse voltage, enabling a wide dynamic range and high-efficiency in WPT rectifier circuits. The NT9003HDAE4S diodes enable a compact mounting area with the small DFN package of 1.2mm x 1.2mm x 0.427mm. These diodes are RoHS-compliant and halogen-free. The NT9003HDAE4S diodes are ideal for detectors and rectifier circuits for microwave wireless power transfer systems.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vr - Sperrspannung
If - Durchlassstrom
Vf - Durchlassspannung
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Nisshinbo Gleichrichter Diode for 1mW Class Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT DFN-4 20 V 4 uA 100 mV 1 uA - 40 C + 85 C NT9000 Reel
Nisshinbo Gleichrichter Engineering Sample - Diode for 1mW Class Rectifier
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT DFN-4 20 V 4 uA 100 mV 1 uA - 40 C + 85 C NT9000