MOSFET per piccoli segnali RV8L002SN e RV8C010UN

I MOSFET per piccoli segnali RV8L002SN e RV8C010UN di ROHM Semiconductor presentano un package ultra-piccolo senza piombo e un pad drain esposto per un'eccellente conduzione termica. I MOSFET RV8L002SN e RV8C010UN offrono anche una commutazione molto rapida, un drive a tensione ultra-bassa di 2,5 V e una protezione ESD fino a 2 kV.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
15 99512.02.2027 previsto
Nastro continuo
0.797 CHF
0.363 CHF
0.32 CHF
0.245 CHF
Nastrati
0.154 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 8 000
Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
7 98620.11.2026 previsto
Nastro continuo
0.724 CHF
0.332 CHF
0.294 CHF
0.225 CHF
Nastrati
0.148 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 8 000
Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel