650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs

Toshiba  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs sind für den Betrieb in Schaltnetzteilen ausgelegt. Diese n-Kanal-MOSFETs verfügen über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Die  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs bieten einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (typisch) von 0,092 Ω bis 0,175 Ω. Diese Bauteile verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 10 V.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
Datenblatt
7 157Auf Lager
Cut-Tape
4.92 CHF
2.59 CHF
2.39 CHF
Reel
2.39 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
Datenblatt
4 670Auf Lager
Cut-Tape
4.01 CHF
2.07 CHF
1.88 CHF
1.64 CHF
Reel
1.54 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 170 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
Datenblatt
76Auf Lager
4.69 CHF
3.07 CHF
2.27 CHF
2.00 CHF
1.78 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 155 mOhms 30 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
Datenblatt
96Auf Lager
4.31 CHF
2.82 CHF
2.10 CHF
1.76 CHF
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 190 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Datenblatt
59erwartet ab 25.12.2026
5.43 CHF
3.37 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
5.78 CHF
3.16 CHF
2.89 CHF
2.42 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Reel
1.33 CHF
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel