Ergebnisse: 5
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp 1 148Auf Lager
2.73 CHF
1.78 CHF
1.24 CHF
1.02 CHF
0.885 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 535Auf Lager
Cut-Tape
1.93 CHF
1.24 CHF
1.02 CHF
0.87 CHF
Reel
0.805 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
3 050Auf Lager
1.65 CHF
1.12 CHF
0.749 CHF
0.644 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
1 157Auf Lager
1.93 CHF
1.34 CHF
0.945 CHF
0.727 CHF
0.70 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 057Auf Lager
2.52 CHF
1.34 CHF
1.12 CHF
0.917 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube