MOSFET de puissance pour automobiles

Les MOSFET de puissance Onsemi présentent un faible RDS(on) pour minimiser les pertes par conduction et un faible Qg/capacité pour minimiser les pertes par pilote . Ces MOSFET réduisent les pertes en commutation/interférences électromagnétiques (EMI). Ces MOSFET de puissance pour automobiles onsemi sont fournis dans un boîtier TOLL (TO-Leadless) pour des conceptions efficaces à haute performance thermique. Ces MOSFET sont certifiés AEC-Q101 et compatibles PHPP pour lesapplications automobiles. Ces dispositifs sont adaptés aux outils électriques, aux aspirateurs alimentés par batterie, aux drones/véhicules aériens sans pilote (UAV), à la manutention de matériel, au système de gestion de batterie (BMS)/stockage et à la domotique.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
onsemi MOSFET T6 40V LL
Fiche technique
8 802En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi MOSFET T6 40V LL
Fiche technique
10 243En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V SG
Fiche technique
1 447En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V SG
Fiche technique
749En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
67En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
132En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
Fiche technique
2 00003.11.2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 185 nC - 55 C + 175 C 198.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
Fiche technique
1 89503.09.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 80
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 187 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 90.4 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
288Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 46 Semaines
Min. : 72
Mult. : 72

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube