MOSFET di potenza StrongIRFET™ 2 da 30 V

I MOSFET di potenza StrongIRFET™ 2 30 V di Infineon Technologies sono ottimizzati per frequenze di commutazione basse e alte, consentendo una flessibilità nella progettazione. Questi dispositivi offrono un'elevata efficienza energetica per migliorare le prestazioni complessive del sistema, garantendo al contempo un'eccellente robustezza. Le maggiori capacità di corrente consentono una maggiore capacità di trasporto della corrente, eliminando la necessità di collegare in parallelo più dispositivi, con conseguente riduzione dei costi DiBa e del risparmio sulla scheda. Le applicazioni includono alimentatori a commutazione (SMPS), azionamenti motore, dispositivi alimentati a batteria, gestione delle batterie, gruppi di continuità (UPS), veicoli elettrici leggeri, utensili elettrici, attrezzi da giardinaggio, adattatori e applicazioni di consumo.

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 8 951A magazzino
Nastro continuo
2.13 CHF
1.37 CHF
0.934 CHF
0.791 CHF
Nastrati
0.662 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 2 819A magazzino
Nastro continuo
1.96 CHF
0.955 CHF
0.854 CHF
0.681 CHF
Nastrati
0.606 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3 415A magazzino
Nastro continuo
1.80 CHF
0.87 CHF
0.778 CHF
0.619 CHF
Nastrati
0.539 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3 703A magazzino
Nastro continuo
1.51 CHF
0.718 CHF
0.641 CHF
0.506 CHF
Nastrati
0.434 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 782A magazzino
Nastro continuo
2.04 CHF
0.992 CHF
0.845 CHF
0.669 CHF
Nastrati
0.591 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 737A magazzino
Nastro continuo
2.62 CHF
1.31 CHF
1.18 CHF
0.91 CHF
Nastrati
0.87 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 774A magazzino
Nastro continuo
2.60 CHF
1.29 CHF
1.17 CHF
0.894 CHF
Nastrati
0.854 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 2 128A magazzino
Nastro continuo
1.38 CHF
0.653 CHF
0.583 CHF
0.473 CHF
Nastrati
0.393 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.7 mOhms 20 V 2.35 V 10 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape