Hochspannungs-DTMOS-VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Toshiba DTMOSVI Hochspannungs-MOSFETs im TOLL-Gehäuse verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rdson) und Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Schaltnetzteil-Applikationen. Diese DTMOSVI der neuesten Generation bietet den niedrigsten Gütefaktor RDS(ON)xQgd und ist im neuen TOLL-Gehäuse (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) mit einer Kelvin-Quellenverbindung zur Reduzierung von Einschalt- und Ausschaltverlusten untergebracht.

Ergebnisse: 6
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Toshiba MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm 5 960Auf Lager
Cut-Tape
5.62 CHF
3.02 CHF
Reel
3.02 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1 035Auf Lager
Cut-Tape
5.71 CHF
2.82 CHF
2.30 CHF
Reel
2.30 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3 792Auf Lager
Cut-Tape
4.69 CHF
2.37 CHF
1.99 CHF
1.92 CHF
Reel
1.92 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1 964Auf Lager
Cut-Tape
3.38 CHF
1.62 CHF
1.53 CHF
Reel
1.24 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
4 000erwartet ab 12.10.2026
Cut-Tape
7.35 CHF
4.48 CHF
3.88 CHF
3.52 CHF
3.12 CHF
Reel
2.82 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Reel
1.46 CHF
1.41 CHF
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel