IGBT Trench Field Stop da 650 V 75 A RGSX5TS65

Gli IGBT Trench Field Stop da 75 V RGSX5TS65 di ROHM Semiconductor  presentano una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore. RGSX5TS65 ha un tempo di resistenza ai cortocircuiti di 8 μs. È qualificato per AEC-Q101 ed è dotato di rivestimento in piombo senza Pb.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Package/involucro Stile di montaggio Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Tensione gate-emettitore massima Collettore a corrente continua a 25 °C Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
450A magazzino
9.65 CHF
5.78 CHF
5.04 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT 427A magazzino
8.28 CHF
4.90 CHF
4.15 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 438A magazzino
8.88 CHF
5.28 CHF
4.49 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
400A magazzino
10.21 CHF
6.14 CHF
5.39 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube