RGSX5TS65 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGSX5TS65 650-V-75-A-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus. Der RGSX5TS65 verfügt über eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 8μs. Er ist AEC-Q101-qualifiziert und verfügt über eine bleifreie bleiplattierung.

Ergebnisse: 4
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Verpackung/Gehäuse Montageart Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Maximale Gate-Emitter-Spannung Kollektorgleichstrom bei 25 C Pd - Verlustleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
450Auf Lager
9.65 CHF
5.78 CHF
5.04 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT 427Auf Lager
8.28 CHF
4.90 CHF
4.15 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 438Auf Lager
8.88 CHF
5.28 CHF
4.49 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
400Auf Lager
10.21 CHF
6.14 CHF
5.39 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube