SCT4018KRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KRC15
SCT4018KRC15

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
81 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 22 S
Verpackung: Tube
Produkt: MOSFET's
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 21 ns
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: SCT4018KR
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.

Leistungs-MOSFET SCT4018KR mit N-Kanal aus Siliciumcarbid (SiC)

Der SCT4018KR N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor  ist ein robustes Bauteil, das für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Anwendungen optimiert ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 1.200 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von 81 A (bei +25 °C) bietet der SCT4018KR von ROHM eine hervorragende Leistung in Hochspannungsumgebungen. Das Gerät verfügt über einen typischen niedrigen On-Widerstand von 18 mΩ und unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten, wodurch die Schaltverluste deutlich reduziert werden und die Gesamtsystemeffizienz verbessert wird. Der SCT4018KR ist in einem TO-247-4L Paket untergebracht und eignet sich gut für den Einsatz in industriellen Stromversorgungen Umrichter und Motorantrieben. Der SCT4018KR MOSFET nutzt die Vorteile der SiC-Technologie und bietet überlegene Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbetrieb und verbesserte Zuverlässigkeit, was ihn ideal für kompakte, leistungsstarke Stromversorgungssysteme macht.

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