Transistor GaN di potenza RF A5Gx Airfast

I transistor GaN di potenza RF A5Gx Airfast di NXP Semiconductors  sono transistor GaN di potenza RF Doherty asimmetrici da 85 W e 112 W. I transistor A5Gx di NXP Semiconductors  sono ideali per le stazioni base cellulari che necessitano di ampie larghezze di banda. Le prestazioni dei dispositivi sono garantite nell'intervallo difrequenza specificato per ciascuna parte, ma non al di fuori dello stesso.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Vds - Tensione di rottura drain-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Scheda dati
90A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Scheda dati
213A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Scheda dati
35A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 250



NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Scheda dati
2A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Scheda dati
20817.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 53 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C